K9EUGY8S0M-CCK0 vs K9CHGY8S5C-CCK0 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K9EUGY8S0M-CCK0 توسط Samsung Electronics و K9CHGY8S5C-CCK0 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K9EUGY8S0M-CCK0 K9EUGY8S0M-CCK0 - 256Gb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9EUGY8S0M-CCK0 - 256Gb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9EUGY8S0M-CCK0 ✓ فعال
Samsung Electronics
K9CHGY8S5C-CCK0 K9CHGY8S5C-CCK0 - Samsung NAND Flash Memory BGA-316 | Samsung

K9CHGY8S5C-CCK0 - Samsung NAND Flash Memory BGA-316 | Samsung

K9CHGY8S5C-CCK0 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K9EUGY8S0M-CCK0 K9CHGY8S5C-CCK0
برند Samsung Electronics Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Product Type 3D TLC V-NAND Flash Memory NAND Flash Memory
Density [DATA_NEEDED: total device density in Gb] [DATA_NEEDED: total density in Gb]
Cell Type TLC (3 bits per cell) —
V-NAND Layers [DATA_NEEDED: layer count] —
رابط [DATA_NEEDED: interface type, e.g. Toggle DDR] —
Supply Voltage VCC [DATA_NEEDED: VCC core supply voltage] —
Supply Voltage VCCQ [DATA_NEEDED: VCCQ I/O supply voltage] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Package Type [DATA_NEEDED: FBGA ball count and dimensions] —
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Grade Suffix CCK0 (standard commercial grade) —
نوع نصب Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA reflow)
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
بسته‌بندی — BGA-316
سازمان — x8 (8-bit data access), quad CE configuration
Chip Enable Count — 16 (CE_n)
Pin Reduction — Not used
Supply Rail VCC — 1.83 V
Supply Rail (secondary) — 1.84 V
Supply Rail VCCQ-class — 2.96 V
Program/Erase Supply Rail — 12 V domain
Memory Technology — [DATA_NEEDED: cell type / V-NAND generation]
نوع رابط — [DATA_NEEDED: toggle DDR / ONFI, max data rate]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: P/E endurance]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت