K9FGGY8J5A-BCK0 vs K9DVGY8J5M So sánh

So sánh chi tiết song song của K9FGGY8J5A-BCK0 bằng Samsung Electronics và K9DVGY8J5M bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K9FGGY8J5A-BCK0 K9FGGY8J5A-BCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9FGGY8J5A-BCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9FGGY8J5A-BCK0 ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K9DVGY8J5M K9DVGY8J5M - Samsung V-NAND TLC Flash Memory Chip | Samsung

K9DVGY8J5M - Samsung V-NAND TLC Flash Memory Chip | Samsung

K9DVGY8J5M ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K9FGGY8J5A-BCK0 K9DVGY8J5M
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Product Family K9 Series NAND Flash —
Technology 3D V-NAND —
Kiểu bộ nhớ NAND Flash (non-volatile) —
Density [DATA_NEEDED: density] [DATA_NEEDED: die density (Gb)]
Tổ chức [DATA_NEEDED: organization] —
Cell Type [DATA_NEEDED: cell type TLC/MLC] —
Supply Voltage VCC [DATA_NEEDED: supply voltage] —
VCCQ Voltage [DATA_NEEDED: VCCQ] —
Giao diện [DATA_NEEDED: interface type/toggle mode] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] —
Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Hộp [DATA_NEEDED: package and ball count] —
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Speed Grade Suffix BCK0 —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Product Type — Raw NAND Flash Memory
NAND Technology — Samsung V-NAND (3D TLC)
Flash ID — EC519A3F8CCB
Organization (Page/Block) — [DATA_NEEDED: page and block organization]
Loại giao diện — [DATA_NEEDED: interface (toggle DDR / async)]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC voltage]
Supply Voltage (VCCQ) — [DATA_NEEDED: VCCQ voltage]
Program Page Time (tPROG) — [DATA_NEEDED: tPROG typical/us]
Block Erase Time (tBERS) — [DATA_NEEDED: tBERS typical/us]
Read Time (tR) — [DATA_NEEDED: tR typical/us]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance]
Package Type — [DATA_NEEDED: package type and dimensions]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá