K9PKGY8S7M-CCK0 vs K9HQGY8S5M So sánh
So sánh chi tiết song song của K9PKGY8S7M-CCK0 bằng Samsung Electronics và K9HQGY8S5M bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K9PKGY8S7M-CCK0 - 128Gb 3D V-NAND MLC Flash | Samsung
K9PKGY8S7M-CCK0 ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K9HQGY8S5M - 3D V-NAND Flash, FBGA-316 | Samsung | SSD Storage
K9HQGY8S5M ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K9PKGY8S7M-CCK0 | K9HQGY8S5M |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Memory Capacity | 128 Gb (16 GB) | — |
| Kiểu bộ nhớ | NAND Flash | — |
| Cell Architecture | 3D V-NAND, MLC (2 bits/cell) | — |
| V-NAND Layers | 24 layers | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Hộp | BGA | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Giao diện | Asynchronous/toggle-mode NAND bus (per Samsung V-NAND family) | NAND (ONFI/Toggle-style asynchronous interface) - exact timing mode [DATA_NEEDED: interface timing mode] |
| Điện áp cung cấp | [DATA_NEEDED: supply voltage] | [DATA_NEEDED: VCC range] |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance] | [DATA_NEEDED: P/E endurance rating] |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Trạng thái RoHS | Lead free / RoHS compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Application Domain | Enterprise SSD (e.g., Samsung 845DC Pro) | — |
| Access Time (tR) | [DATA_NEEDED: read cycle time] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention specification] | — |
| Product Type | — | 3D V-NAND Flash Memory (stacked, client NAND) |
| Package Type | — | 316-ball Fine Pitch BGA (FBGA-316) |
| Die Configuration | — | 4 x K9ADGD8S0A V-NAND dies (per TechInsights package analysis) |
| NAND Technology | — | 32-layer pMLC 3D V-NAND (per Samsung 850 Pro 256 GB analysis) |
| Memory Class | — | Non-volatile NAND flash |
| Density | — | [DATA_NEEDED: total bit density] |
| Cấp MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Original Application | — | Samsung SSD 850 Pro solid-state drive |