MRF6S9130HSR3 vs MRF6S9160HSR3 So sánh
So sánh chi tiết song song của MRF6S9130HSR3 bằng NXP Semiconductors và MRF6S9160HSR3 bằng NXP Semiconductors. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
NXP Semiconductors
MRF6S9130HSR3 - 27W 880MHz RF Power MOSFET | NXP Semiconductors
MRF6S9130HSR3 ✓ Hoạt độngNXP Semiconductors
MRF6S9160HSR3 - 880MHz 35W RF Power LDMOS | NXP Semiconductors
MRF6S9160HSR3 ⚠ Lần mua cuốiSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MRF6S9130HSR3 | MRF6S9160HSR3 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Lần mua cuối |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) | — |
| Part Status | Active | — |
| Kiểu transitor | Lateral N-Channel RF Power MOSFET (LDMOS) | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| Operating Frequency | 880 MHz | 865 MHz to 960 MHz |
| Drain-Source Voltage (Vdss) Max | 68 V | — |
| Drain Current (Id) Max | [DATA_NEEDED: maximum pulsed drain current] | — |
| Typical Quiescent Current (Idq) | 950 mA | — |
| Drain-Source On Resistance (Rds(on)) | [DATA_NEEDED: Rds(on) value] | — |
| Output Power (Pout) Avg | 27 W (N-CDMA single-carrier) | — |
| Power Gain (Gps) | 19.2 dB typical | — |
| Drain Efficiency | [DATA_NEEDED: drain efficiency figure] | 31% typical at 880 MHz |
| Supply Voltage (Vdd) Recommended | 28 V | — |
| Hộp / Vỏ | NI-780S (CASE 465-06, Style 1) ceramic flange | — |
| Kiểu lắp đặt | Chassis / flange mount with screw-down | Flange / Chassis Mount with screw holes |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: Tj operating range] | — |
| Storage Temperature Range | [DATA_NEEDED: Tstg range] | — |
| Số chân | 3 | — |
| Style | Style 1 | — |
| Technology | LDMOS (laterally diffused MOS) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Packing | Tape & Reel (HSR3 suffix) | — |
| Primary Applications | N-CDMA, GSM, GSM EDGE base station PAs, 880-960 MHz multicarrier amplifiers | — |
| Application | — | RF Power Amplifier |
| Test Frequency | — | 880 MHz |
| Drain-Source Voltage (Vdss) Rated | — | 68 V |
| Operating Voltage (VDD) | — | 28 V |
| Test Bias Current (IDQ) | — | 1.2 A |
| Output Power (Pout, Avg.) | — | 35 W Avg. |
| Power Gain | — | 20.9 dB typical at 880 MHz |
| ACPR @ 750 kHz Offset | — | -46.8 dBc (N-CDMA) |
| Hộp | — | NI-780S (CASE 465-06, STYLE 1) ceramic flange-mount |
| Lead-Free Status | — | Lead free (HSR3 suffix) |
| Designed Waveforms | — | N-CDMA, GSM, GSM EDGE, multicarrier |