MRF8S18120HR3 vs MRF6S19100HR3 So sánh

So sánh chi tiết song song của MRF8S18120HR3 bằng NXP Semiconductors và MRF6S19100HR3 bằng NXP Semiconductors. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

NXP Semiconductors
MRF8S18120HR3 MRF8S18120HR3 - 1.8GHz 72W CW LDMOS RF Power Transistor | NXP

MRF8S18120HR3 - 1.8GHz 72W CW LDMOS RF Power Transistor | NXP

MRF8S18120HR3 ✓ Hoạt động
NXP Semiconductors
MRF6S19100HR3 MRF6S19100HR3 - 22W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz N-CDMA | NXP

MRF6S19100HR3 - 22W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz N-CDMA | NXP

MRF6S19100HR3 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số MRF8S18120HR3 MRF6S19100HR3
Thương hiệu NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Part Number MRF8S18120HR3 MRF6S19100HR3
Kiểu transitor LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET —
Frequency Range 1805 to 1880 MHz —
Output Power (CW) 72 W —
Power Gain (typ) 18.2 dB at 1.81 GHz —
Drain-Source Voltage (Rated) 65 V —
Test Drain Voltage (Vdd) 28 V —
Test Quiescent Current (Idq) 800 mA —
Drain Current Rating 10 uA (leakage spec entry per datasheet) —
Operating Mode Class AB, Class C Class AB (linear)
Hộp NI-780H (3-pin ceramic, flangeless) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount / Screw-down heatsink Flanged / Screw-mount with ceramic body
Target Application GSM, GSM EDGE base station PA —
Trạng thái RoHS Compliant per NXP product page Compliant (per NXP product page)
Device Type — RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
Technology — N-Channel LDMOS
Operating Frequency Range — 1930 MHz to 1990 MHz
Output Power (P1dB, Avg) — 22 W (N-CDMA Average)
Power Gain — 16.1 dB (typical at 1.99 GHz)
Drain Voltage (Vds) — 28 V
Quiescent Drain Current (Idq) — 900 mA (typical)
Hộp / Vỏ — NI-780H-2L (Case 465-06, Style 1)
Lead Style — Dual blade (HR3 suffix)
Target Applications — N-CDMA base station, TDMA, CDMA, multicarrier amplifier, PCS/cellular radio, WLL

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá