RTAX1000SL-CQ352PROTO vs RTAX1000SL-CQ352V So sánh
So sánh chi tiết song song của RTAX1000SL-CQ352PROTO bằng Microchip Technology và RTAX1000SL-CQ352V bằng Microchip Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Microchip Technology
RTAX1000SL-CQ352PROTO - 1M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX1000SL-CQ352PROTO ✓ Hoạt độngMicrochip Technology
RTAX1000SL-CQ352V - 1M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX1000SL-CQ352V ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | RTAX1000SL-CQ352PROTO | RTAX1000SL-CQ352V |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Family | RTAX-S/SL Radiation-Tolerant FPGAs | RTAX-SL (RTAX-S/SL Radiation-Tolerant FPGAs) |
| Equivalent System Gates | 1,000,000 | 1,000,000 |
| Logic Cells | 18144 | 18,144 |
| CLBs | 12096 | — |
| Core Supply Voltage | 1.5 V nominal (1.425 V to 1.575 V) | — |
| Process Technology | CMOS 0.15 um | 0.15 um CMOS |
| Configuration Technology | Antifuse (one-time programmable), live at power-up | — |
| Hộp | 352-terminal ceramic metal-sealed cofired CQFP (CQ352) | 352-pin Ceramic CQFP (CQ352V) |
| Nhiệt độ hoạt động | -55C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Embedded Memory | Embedded SRAM with built-in FIFO control logic | Embedded SRAM with built-in FIFO control logic |
| Clock Architecture | Segmentable clocks, chip-wide highway routing | — |
| Carry Chains | Yes (arithmetic carry support) | — |
| Application Space | Space-flight systems, radiation-tolerant | — |
| Build Variant | PROTO (prototyping/engineering build) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Max Toggle Frequency | [DATA_NEEDED: maximum frequency] | — |
| CLBs (Logic Modules) | — | 12,096 |
| Maximum Toggle Frequency | — | 581 MHz |
| Core Voltage | — | 1.5 V |
| Programming Technology | — | Antifuse (one-time programmable) |
| Radiation Tolerance | — | Radiation-tolerant, space-flight qualified family |
| Power-Up Behavior | — | Live at power-up (non-volatile) |
| Configuration Upset Immunity | — | No SEU in configuration memory (antifuse) |
| I/O Voltage | — | [DATA_NEEDED: I/O bank voltage range] |
| Total Ionizing Dose (TID) | — | [DATA_NEEDED: TID rating in krad (Si)] |
| Cấp MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Estimated Equivalent Gates per CLB | — | [DATA_NEEDED: gates-per-CLB ratio] |