RTAX2000DL-1CQ352V vs RTAX2000DL-CQ352B So sánh
So sánh chi tiết song song của RTAX2000DL-1CQ352V bằng Microchip Technology và RTAX2000DL-CQ352B bằng Microchip Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Microchip Technology
RTAX2000DL-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000DL-1CQ352V ✓ Hoạt độngMicrochip Technology
RTAX2000DL-CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000DL-CQ352B ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | RTAX2000DL-1CQ352V | RTAX2000DL-CQ352B |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Family | RTAX-DSP (RTAX2000DL) | — |
| Equivalent System Gates | 2,000,000 (approx.) | 2,000,000 |
| Logic Cells | 29,568 | [DATA_NEEDED: Logic Cells] |
| CLBs | 19,712 | 19,712 |
| Core Supply Voltage | 1.425 V to 1.575 V (nominal 1.5 V) | — |
| Technology | Digital CMOS | — |
| Programming Technology | Antifuse (one-time programmable) | Nonvolatile antifuse |
| Radiation Tolerance | Radiation-tolerant (RTAX-DSP) | — |
| Configuration | Live at power-up, no external boot memory | Live at power-up, no external boot PROM required |
| Speed Grade | -1 | — |
| Hộp | CQ352 (352-pin ceramic QFP) | 352-terminal ceramic CQFP, metal-sealed |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Application Domain | Space-flight systems | Space flight systems |
| Special Features | DSP multiply-accumulate blocks (DL variant) | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Embedded SRAM | [DATA_NEEDED: Embedded SRAM capacity] | — |
| DSP Mathblocks | — | Up to 120 |
| DSP MAC Performance | — | 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate |
| Embedded Memory | — | Up to 540 kbits with optional EDAC protection |
| Total Ionizing Dose (Functional) | — | 300 krad (Si) |
| Total Ionizing Dose (Parameter) | — | 200 krad (Si) |
| Core Supply Voltage (Nominal) | — | 1.5 V |
| Core Supply Voltage Range | — | 1.425 V to 1.575 V |
| Terminal Pitch | — | 0.500 mm |