RTAX2000SL-1CGS624EV vs RTAX2000SL-1CGS624V So sánh
So sánh chi tiết song song của RTAX2000SL-1CGS624EV bằng Microchip Technology và RTAX2000SL-1CGS624V bằng Microsemi. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Microchip Technology
RTAX2000SL-1CGS624EV - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000SL-1CGS624EV ✓ Hoạt độngMicrosemi
RTAX2000SL-1CGS624V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Actel/Microchip
RTAX2000SL-1CGS624V ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | RTAX2000SL-1CGS624EV | RTAX2000SL-1CGS624V |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Microchip Technology | Microsemi |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Family | RTAX-S/SL Radiation-Tolerant FPGAs | — |
| Equivalent System Gates | 2,000,000 (family up to 4,000,000) | 2000000 |
| Logic Cells | 32,256 | — |
| CLBs | 21,504 | — |
| ASIC Gate Equivalent | 250,000 additional | — |
| Technology | CMOS anti-fuse, one-time programmable | Digital CMOS, antifuse nonvolatile |
| Speed Grade | -1 | -1 |
| Hộp | 624-terminal ceramic CGA (CGS624) | 624-ball ceramic CGA (CGS624) |
| Terminals | 624 | — |
| Embedded Memory | Embedded SRAM with built-in FIFO control logic | Up to 540 kbits with optional EDAC |
| Configuration | Live at power-up (no external boot device) | One-time programmable (OTP), live at power-up, single chip |
| Radiation Tolerance | Radiation-tolerant (TID/SEE per datasheet qualification) | — |
| Applications | Space-flight systems | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Heritage | RTAX2000SL recognized as heritage-equivalent to RTAX2000S (per Microchip and ESA/ESCC REP 010 industry practice) | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Core Voltage | [DATA_NEEDED: core supply voltage] | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Logic Cells (CLBs) | — | 21504 |
| User I/Os (max, package dependent) | — | Up to 684 |
| Total Ionizing Dose (TID) | — | 300 krad (functional), 200 krad (parametric) |
| SEU Rate | — | Less than 1E-10 errors per bit-day |
| Quality / Screening Suffix | — | S (space flow), V suffix qualification level |
| Core Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: core supply voltage] |
| I/O Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: I/O supply voltage] |
| Embedded SRAM Features | — | Built-in FIFO control logic |
| Clocking | — | Segmentable clocks, chip-wide highway routing |