AS4C512M16D4-75BCNTR vs AS4C512M16D4B-62BCNTR 比較

詳細並排比較 AS4C512M16D4-75BCNTR 由 Alliance Memory 與 AS4C512M16D4B-62BCNTR 由 Alliance Memory. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Alliance Memory

AS4C512M16D4-75BCNTR ✓ 啟用中
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AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ 啟用中

規格比較

參數 AS4C512M16D4-75BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR
品牌 Alliance Memory Alliance Memory
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
單價 (USD) $7.90 —
記憶體類型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
組織 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.333 GHz 1600 MHz
資料速率 2666 Mbps per pin 3200 MT/s
Access Time 18 ns —
Write Cycle Time 15 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (range 1.14 V to 1.26 V) —
介面 Parallel Parallel
Prefetch Architecture 8n —
Internal Bank Count 16 banks —
封裝 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
工作溫度範圍 0C to +95C (case, commercial) —
Process Technology 20nm-class DRAM —
Termination On-die termination (ODT) —
Refresh Modes Auto-refresh and self-refresh —
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
Packaging Option Tape & Reel (TR suffix) —
RoHS 狀態 Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
記憶體容量 — 8 Gbit (512M x 16)
CAS 延遲 — 19 ns
供應電壓 — 1.2 V (1.14V to 1.26V)
工作溫度 — 0°C to 95°C
JEDEC Standard — Compliant
Revision — Rev.B

資料表與資源

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