M29F800FB55N3F2 vs M29F800FT55M3F2 比較

詳細並排比較 M29F800FB55N3F2 由 Micron Technology 與 M29F800FT55M3F2 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ 啟用中
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M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

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規格比較

參數 M29F800FB55N3F2 M29F800FT55M3F2
品牌 Micron Technology Micron Technology
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
Memory Density 8389 kbits (8 Mbit) —
組織 1M x 8 / 512K x 16 512K x 16 / 1M x 8
供應電壓 5 V —
Access Time 55 ns 55 ns
介面類型 Parallel NOR —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block —
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
工作溫度 -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Package Type 48-pin TSOP1 —
Package Shape Rectangular (JESD designation TSOP1) —
Terminal Count 48 —
JESD-609 Termination Code e3 (lead-free) —
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel (TR)
RoHS 狀態 Compliant (lead-free terminations) Compliant (lead-free suffix F2)
記憶體類型 — Parallel NOR Flash
Density — 8 Mbit (8389 kbits)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Position — Top boot block
Programming Interface — Embedded program/erase controller
封裝 — 44-pin SO (SOP)
介面 — Parallel, x8/x16 selectable
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

資料表與資源

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