MT41K256M16HA-125IT:E vs NT5CC256M16CP-DIB1 比較

詳細並排比較 MT41K256M16HA-125IT:E 由 Micron Technology 與 NT5CC256M16CP-DIB1 由 Nanya Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Micron Technology
MT41K256M16HA-125IT:E MT41K256M16HA-125IT:E - 4Gb DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125IT:E - 4Gb DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125IT:E ✓ 啟用中
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB1 NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIB1 ✓ 啟用中

規格比較

參數 MT41K256M16HA-125IT:E NT5CC256M16CP-DIB1
品牌 Micron Technology Nanya Technology
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
庫存狀態 In Stock —
單價 (USD) $4.50 —
記憶體類型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4Gb
組織 256M x 16 256M x 16
Clock Speed 800 MHz —
CAS 延遲 13.75 ns —
供應電壓 1.35 V 1.35V
封裝 96-FBGA (9x14 mm) TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch
腳位數 96 —
介面 Parallel —
工作溫度 -40°C to +95°C 0C to +95C (Tcase)
安裝類型 Surface Mount —
Logic Family CMOS —
Lead Free Yes Yes
RoHS 狀態 Compliant —
資料速率 DDR3L-1600 1600Mbps (DDR3L-1600)
Number of Banks — 8
CAS Latency (CL) — 11
Write Latency (CWL) — 8
tRCD/tRP — 11
Burst Length — 8 (BL8) and 4 (BC4)
RoHS — Compliant
無鹵素 — Yes

資料表與資源

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