MT41K256M16TW-107 vs H5TC4G63CFR-XXL 比較

詳細並排比較 MT41K256M16TW-107 由 Micron Technology 與 H5TC4G63CFR-xxL 由 SK hynix. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Micron Technology
MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ 啟用中
SK hynix
H5TC4G63CFR-xxL H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL ✓ 啟用中

規格比較

參數 MT41K256M16TW-107 H5TC4G63CFR-xxL
品牌 Micron Technology SK hynix
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
單價 (USD) $14.10 —
記憶體類型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
記憶體容量 4 Gbit —
組織 256M x 16 256M x 16
介面 Parallel DDR3L
Clock Frequency 933 MHz (DDR3L-1866) —
Access Time 20 ns —
供應電壓 1.35 V 1.35V
資料匯流排寬度 16 bit —
封裝 96-FBGA (8x14 mm) 96-pin FBGA
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
工作溫度 0C to +95C (commercial :P grade) —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
RoHS 狀態 [DATA_NEEDED: RoHS status] —
MSL 等級 [DATA_NEEDED: MSL level] —
Density — 4Gb
資料速率 — [DATA_NEEDED: data rate]
CAS 延遲 — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Burst Length — 8 (with burst chop)
工作溫度範圍 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
無鹵素 — Yes
腳位數 — 96

資料表與資源

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