W25M512JVEIQ vs MX25L51245GXDI-08G 比較

詳細並排比較 W25M512JVEIQ 由 Winbond 與 MX25L51245GXDI-08G 由 Macronix. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Winbond
W25M512JVEIQ W25M512JVEIQ - 512Mbit SPI NOR Flash 104MHz | Winbond

W25M512JVEIQ - 512Mbit SPI NOR Flash 104MHz | Winbond

W25M512JVEIQ ✓ 啟用中
Macronix
MX25L51245GXDI-08G MX25L51245GXDI-08G - 512Mbit SPI NOR Flash 166MHz | Macronix

MX25L51245GXDI-08G - 512Mbit SPI NOR Flash 166MHz | Macronix

MX25L51245GXDI-08G ✓ 啟用中

規格比較

參數 W25M512JVEIQ MX25L51245GXDI-08G
品牌 Winbond Macronix
類別 Memory ICs EEPROM
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 FLASH - NOR Memory IC (Multichip Package) FLASH - NOR Memory IC
記憶體容量 512 Mbit (64 MB) 512 Mbit (64 MByte)
組織 64M x 8 —
介面 SPI, Dual SPI, Quad SPI —
Max Clock Frequency 104 MHz 166 MHz
Operating Voltage 3V / 3.3V —
Access Time 7 ns 8 ns
Sector Size 4KB Uniform Sector —
封裝 8-WSON (8mm x 6mm) with exposed pad —
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
工作溫度 [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] -40C to +85C
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: Program/Erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: Data retention] 20 years
Write Protect Hardware /WP pin —
Hold Pin /HOLD supported —
RoHS 狀態 [DATA_NEEDED: RoHS status] —
MSL 等級 [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] —
Memory Organization — 64M x 8
Technology — FLASH - NOR
Memory Interface — SPI - Quad I/O, QPI, DTR
供應電壓 — 2.7 V to 3.6 V
Write Cycle Time - Word — 60 us
Write Cycle Time - Page — 750 us
Endurance — 100,000 cycles
封裝 / 外殼 — 24-CSPBGA (6x8)
Supplier Device Package — 24-CSPBGA (6x8)
Memory Format — FLASH

資料表與資源

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