W634GU6RB12I vs IS43TR16256A-125KBL 比較
詳細並排比較 W634GU6RB12I 由 Winbond 與 IS43TR16256A-125KBL 由 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256A-125KBL ✓ 啟用中規格比較
| 參數 | W634GU6RB12I | IS43TR16256A-125KBL |
|---|---|---|
| 品牌 | Winbond | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 單價 (USD) | — | $19.09 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| 記憶體容量 | 4Gbit (256M x 16) | 4Gbit (256M x 16) |
| 資料速率 | 800 MHz (DDR3L-1600) | 1600MT/s |
| 供應電壓 | 1.35V | — |
| Row Cycle Time (tRC) | 20 ns | — |
| 封裝 | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-TWBGA (9x13mm) |
| 工作溫度 | -40°C to +95°C (TCASE) | 0°C to +95°C (Tc) |
| 介面 | Parallel | — |
| 安裝類型 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 狀態 | Compliant | — |
| 無鹵素 | Yes | — |
| Speed Grade | -12I (DDR3L-1600 11-11-11) | — |
| 組織 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS 延遲 | 11 | 11 |
| Burst Length | 8 | 8 (with burst chop 4) |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.5V ± 0.075V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.5V ± 0.075V |
| RoHS | — | Compliant |
| 腳位數 | — | 96 |