W634GU6RB12I vs IS43TR16256A-125KBL 对比

详细并排对比 W634GU6RB12I 出自 Winbond 和 IS43TR16256A-125KBL 出自 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Winbond
W634GU6RB12I W634GU6RB12I - 4Gb DDR3L SDRAM x16 800MHz | Winbond

W634GU6RB12I - 4Gb DDR3L SDRAM x16 800MHz | Winbond

W634GU6RB12I ✓ 量产中
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256A-125KBL ✓ 量产中

规格对比

参数 W634GU6RB12I IS43TR16256A-125KBL
品牌 Winbond ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $5.60 $19.09
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR3 SDRAM
存储容量 4Gbit (256M x 16) 4Gbit (256M x 16)
数据速率 800 MHz (DDR3L-1600) 1600MT/s
电源电压 1.35V —
Row Cycle Time (tRC) 20 ns —
封装 96-VFBGA (7.5x13mm) 96-TWBGA (9x13mm)
工作温度 -40°C to +95°C (TCASE) 0°C to +95°C (Tc)
接口 Parallel —
安装类型 Surface Mount Surface Mount
RoHS 状态 Compliant —
无卤 Yes —
Speed Grade -12I (DDR3L-1600 11-11-11) —
存储组织 256M x 16 256M x 16
CAS 延迟 11 11
Burst Length 8 8 (with burst chop 4)
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 20 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.5V ± 0.075V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.5V ± 0.075V
RoHS — Compliant
引脚数 — 96

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