W634GU6RB12I vs IS43TR16256A-125KBL 비교
다음의 상세 나란히 비교: W634GU6RB12I 제조: Winbond 및 IS43TR16256A-125KBL 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256A-125KBL ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | W634GU6RB12I | IS43TR16256A-125KBL |
|---|---|---|
| 브랜드 | Winbond | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.60 | $19.09 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit (256M x 16) | 4Gbit (256M x 16) |
| 데이터 속도 | 800 MHz (DDR3L-1600) | 1600MT/s |
| 공급 전압 | 1.35V | — |
| Row Cycle Time (tRC) | 20 ns | — |
| 패키지 | 96-VFBGA (7.5x13mm) | 96-TWBGA (9x13mm) |
| 동작 온도 | -40°C to +95°C (TCASE) | 0°C to +95°C (Tc) |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Speed Grade | -12I (DDR3L-1600 11-11-11) | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS 레이턴시 | 11 | 11 |
| Burst Length | 8 | 8 (with burst chop 4) |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.5V ± 0.075V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.5V ± 0.075V |
| RoHS | — | Compliant |
| 핀 수 | — | 96 |