K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G045WB-BCRC 对比

详细并排对比 K4A8G085WB-BCRC 出自 Samsung Electronics 和 K4A8G045WB-BCRC 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC ✓ 量产中
Samsung Electronics
K4A8G045WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC - 8Gb DDR4 2Gx4 2400Mbps B-die | Samsung

K4A8G045WB-BCRC ✓ 量产中

规格对比

参数 K4A8G085WB-BCRC K4A8G045WB-BCRC
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $6.80 $2.95
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
存储组织 1G x 8 2G x 4
数据速率 2400 Mbps —
电源电压 1.2 V —
工作温度 0°C to 85°C 0 C to 85 C
封装 78-ball FBGA 78-ball FBGA (PBGA78)
Number of Terminals 78 —
Refresh Cycles 8192 8192
Access Time 0.175 ns —
Technology CMOS —
Burst Length 8 and 4 —
On-Die Termination Yes —
Auto-Refresh Yes —
Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant —
Speed — 2400 Mbps
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V
Process Technology — Samsung B-die
接口 — CMOS, differential clock (CK/CK#)
Maximum Supply Current — 211.7 mA
Terminals — 78
安装类型 — Surface Mount
Key DDR4 Features — Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset
DLL Mode — Timing specified for DLL-enabled operation
RoHS 状态 — Compliant

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