K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G045WB-BCRC 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G085WB-BCRC 제조: Samsung Electronics 및 K4A8G045WB-BCRC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G085WB-BCRC | K4A8G045WB-BCRC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.80 | $2.95 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 1G x 8 | 2G x 4 |
| 데이터 속도 | 2400 Mbps | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 동작 온도 | 0°C to 85°C | 0 C to 85 C |
| 패키지 | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (PBGA78) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | 8192 |
| Access Time | 0.175 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Speed | — | 2400 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V |
| Process Technology | — | Samsung B-die |
| 인터페이스 | — | CMOS, differential clock (CK/CK#) |
| Maximum Supply Current | — | 211.7 mA |
| Terminals | — | 78 |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| Key DDR4 Features | — | Posted CAS, Programmable CWL, Internal (Self) Calibration, ODT, Asynchronous Reset |
| DLL Mode | — | Timing specified for DLL-enabled operation |
| RoHS 상태 | — | Compliant |