MT40A512M16JY-075E vs MT40A512M16LY-075:E 对比

详细并排对比 MT40A512M16JY-075E 出自 Micron Technology 和 MT40A512M16LY-075:E 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT40A512M16JY-075E MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-075E ✓ 量产中
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MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ 量产中

规格对比

参数 MT40A512M16JY-075E MT40A512M16LY-075:E
品牌 Micron Technology Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $30.50 $5.80
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
存储容量 8 Gbit 8 Gbit (512M x 16)
存储组织 512M x 16 —
Clock Frequency 1.33 GHz 1.33 GHz
数据速率 2666 MT/s 2666 MT/s
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.14V to 1.26V 1.2V ±60mV
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
接口 Parallel Parallel
封装 96-FBGA (8x14) 96-FBGA (7.5x13.5mm)
安装类型 Surface Mount Surface Mount
工作温度范围 0°C to +95°C (TC) 0°C to +95°C
Refresh Time 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
RoHS 状态 Compliant —
特性 Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain 1.2V pseudo open-drain
CAS 延迟 — 19
VPP Supply — 2.5V (-125mV, +250mV)
Internal Banks (x16) — 8 banks (4 groups of 2)
RoHS — Compliant

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