MT41K256M16HA-107AAT:E vs NT5CB256M16CP-DI 对比

详细并排对比 MT41K256M16HA-107AAT:E 出自 Micron Technology 和 NT5CB256M16CP-DI 出自 Nanya Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ 量产中
Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ 量产中

规格对比

参数 MT41K256M16HA-107AAT:E NT5CB256M16CP-DI
品牌 Micron Technology Nanya Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $5.95 $6.50
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
存储容量 4Gbit (256M x 16) —
数据速率 933 MHz (DDR3L-1866) 1600 Mbps/pin (max)
Access Time 20 ns —
电源电压 1.35V 1.35 V (DDR3L)
接口 Parallel —
封装 96-FBGA (9x14mm) TFBGA-96
工作温度 0°C to +95°C (Tc) —
安装类型 Surface Mount —
RoHS 状态 Compliant —
存储组织 256M x 16 256M x 16
CAS 延迟 13 (typical) —
Burst Length 8, 4 —
On-Die Termination Yes —
Refresh Auto-refresh, self-refresh —
Density — 4 Gb
Number of Banks — 8
CAS Latency (CL) — 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
Write Latency (CWL) — 5, 6, 7, 8, 9
Additive Latency — 0-13
工作温度范围 — -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Differential Clock Input — Yes (CK, CK#)
On-Die Termination (ODT) — Yes

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