MT41K256M16HA-107AAT:E vs NT5CB256M16CP-DI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16HA-107AAT:E par Micron Technology et NT5CB256M16CP-DI par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron
MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K256M16HA-107AAT:E | NT5CB256M16CP-DI |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,95 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Débit de données | 933 MHz (DDR3L-1866) | 1600 Mbps/pin (max) |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.35 V (DDR3L) |
| Interface | Parallel | — |
| Boîtier | 96-FBGA (9x14mm) | TFBGA-96 |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latence CAS | 13 (typical) | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Additive Latency | — | 0-13 |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Differential Clock Input | — | Yes (CK, CK#) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |