MT41K256M16HA-107AAT:E vs NT5CB256M16CP-DI 比較

詳細な並列比較: MT41K256M16HA-107AAT:E メーカー: Micron Technology および NT5CB256M16CP-DI メーカー: Nanya Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ 生産中
Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT41K256M16HA-107AAT:E NT5CB256M16CP-DI
ブランド Micron Technology Nanya Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.95 $6.50
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
メモリサイズ 4Gbit (256M x 16) —
データレート 933 MHz (DDR3L-1866) 1600 Mbps/pin (max)
Access Time 20 ns —
電源電圧 1.35V 1.35 V (DDR3L)
インターフェース Parallel —
パッケージ 96-FBGA (9x14mm) TFBGA-96
動作温度 0°C to +95°C (Tc) —
実装タイプ Surface Mount —
RoHS ステータス Compliant —
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
CASレイテンシ 13 (typical) —
Burst Length 8, 4 —
On-Die Termination Yes —
Refresh Auto-refresh, self-refresh —
Density — 4 Gb
Number of Banks — 8
CAS Latency (CL) — 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11
Write Latency (CWL) — 5, 6, 7, 8, 9
Additive Latency — 0-13
動作温度範囲 — -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Differential Clock Input — Yes (CK, CK#)
On-Die Termination (ODT) — Yes

データシート&リソース

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