MT41K256M16TW-093:P vs MT41K256M16TW-107:P 对比

详细并排对比 MT41K256M16TW-093:P 出自 Micron Technology 和 MT41K256M16TW-107:P 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT41K256M16TW-093:P MT41K256M16TW-093:P - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16TW-093:P - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16TW-093:P ✓ 量产中
Micron Technology
MT41K256M16TW-107:P MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P ✓ 量产中

规格对比

参数 MT41K256M16TW-093:P MT41K256M16TW-107:P
品牌 Micron Technology Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $15.50 $16.00
存储器类型 SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
存储容量 4 Gbit 4Gbit (256M x 16)
存储组织 256 M x 16 —
数据总线宽度 16 bit —
最大时钟频率 1.066 GHz —
Access Time 20 ns —
电源电压 1.35 V (1.5 V compatible) 1.35V
封装 / 外壳 96-FBGA (8x14) —
安装类型 Surface Mount Surface Mount
工作温度 0°C to +95°C 0°C to +95°C
RoHS 状态 Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
Series MT41K256M16 —
Product Category DRAM —
Type SDRAM - DDR3L —
Clock Frequency — 933 MHz
数据速率 — 1866 MT/s
I/O Voltage — 1.35V
CAS 延迟 — 13
tRCD — 20 ns
tRP — 20 ns
Burst Length — 8
封装 — 96-FBGA (8x14mm)
Lead-Free — Yes

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