10M08DCF256I7G vs 10M08DCF484C8G مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 10M08DCF256I7G بواسطة Intel و 10M08DCF484C8G بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 10M08DCF256I7G | 10M08DCF484C8G |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Series | MAX 10 | — |
| Family | MAX 10 FPGA | MAX 10 |
| Logic Elements (LE) | 8,000 | — |
| Embedded Memory (bits) | 387,072 | — |
| User I/O Count | 178 | 250 |
| DSP Blocks (18x18) | [DATA_NEEDED: 18x18 multiplier count] | — |
| العلبة | 256-FBGA (FineLine BGA) | 484-ball FBGA (FineLine BGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +100C (Industrial) | Commercial (0C to +85C junction, per speed grade) |
| Supply Voltage - Core | [DATA_NEEDED: core voltage range] | — |
| Supply Voltage - I/O Banks | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (bank-dependent) | — |
| Configuration Memory | On-chip dual-configuration flash (non-volatile) | Dual on-chip flash (instant-on, dual-boot) |
| On-die ADC | 12-bit, up to 1 MSa/s | — |
| External Memory Interface | LPDDR2 / DDR3 / DDR3L | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Process Technology | 55 nm NOR-flash-backed CMOS | 55 nm TSMC embedded NOR flash |
| Logic Elements | — | 8,000 |
| Embedded Memory (M9K) | — | 378 Kbits (49 M9K blocks) |
| Embedded Multiplier Blocks (18x18) | — | [DATA_NEEDED: 18x18 multiplier count] |
| Speed Grade | — | C8 (commercial, standard speed) |
| Core Voltage | — | 1.2 V (on-chip regulator) |
| PLLs | — | 2 |
| Global Clock Networks | — | Up to 16 |
| Integrated ADC | — | 12-bit SAR, up to 1 Msps |
| LVDS Support | — | True LVDS up to 1.4 Gbps (input), emulated LVDS (output) |
| مستوى MSL | — | 3 (per JEDEC J-STD-020) |