10M08DCF256I7G vs 10M08DCF484C8G तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 10M08DCF256I7G द्वारा Intel और 10M08DCF484C8G द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 10M08DCF256I7G | 10M08DCF484C8G |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Series | MAX 10 | — |
| Family | MAX 10 FPGA | MAX 10 |
| Logic Elements (LE) | 8,000 | — |
| Embedded Memory (bits) | 387,072 | — |
| User I/O Count | 178 | 250 |
| DSP Blocks (18x18) | [DATA_NEEDED: 18x18 multiplier count] | — |
| पैकेज | 256-FBGA (FineLine BGA) | 484-ball FBGA (FineLine BGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +100C (Industrial) | Commercial (0C to +85C junction, per speed grade) |
| Supply Voltage - Core | [DATA_NEEDED: core voltage range] | — |
| Supply Voltage - I/O Banks | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (bank-dependent) | — |
| Configuration Memory | On-chip dual-configuration flash (non-volatile) | Dual on-chip flash (instant-on, dual-boot) |
| On-die ADC | 12-bit, up to 1 MSa/s | — |
| External Memory Interface | LPDDR2 / DDR3 / DDR3L | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Process Technology | 55 nm NOR-flash-backed CMOS | 55 nm TSMC embedded NOR flash |
| Logic Elements | — | 8,000 |
| Embedded Memory (M9K) | — | 378 Kbits (49 M9K blocks) |
| Embedded Multiplier Blocks (18x18) | — | [DATA_NEEDED: 18x18 multiplier count] |
| Speed Grade | — | C8 (commercial, standard speed) |
| Core Voltage | — | 1.2 V (on-chip regulator) |
| PLLs | — | 2 |
| Global Clock Networks | — | Up to 16 |
| Integrated ADC | — | 12-bit SAR, up to 1 Msps |
| LVDS Support | — | True LVDS up to 1.4 Gbps (input), emulated LVDS (output) |
| MSL स्तर | — | 3 (per JEDEC J-STD-020) |