1ED020I12B2XUMA1 vs 1ED3142MU12FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1ED020I12B2XUMA1 بواسطة Infineon و 1ED3142MU12FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1ED020I12B2XUMA1 1ED3142MU12FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated —
Isolation Technology Coreless transformer (magnetic coupling) Coreless Transformer (CT)
Isolation Voltage (Vrms) 4500 Vrms —
Number of Channels 1 1
Output Current (typ.) 2 A source / 2 A sink —
Propagation Delay (typ.) 35 ns —
Supported Switch Voltage Class Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET —
DESAT Protection Yes (programmable threshold) —
Miller Clamp Yes (integrated 2 A clamp FET) —
Input Supply (VCC1) 5 V (logic side) —
Output Supply (VCC2) Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V —
العلبة PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16) PG-DSO-8-72 (wide-body DSO-8)
Creepage Distance 8 mm —
درجة حرارة التشغيل -40 °C to +125 °C —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL-3 (per JEDEC J-STD-020) —
Compliance RoHS compliant —
Product Type — Galvanically Isolated Gate Driver IC
Peak Source/Sink Output Current — 6.5 A (typical)
Isolation Voltage (DigiKey rating) — 3000 Vrms
Isolation Voltage (Manufacturer datasheet) — 2300 V
Output Supply Voltage (VCC2-VEE2) — [DATA_NEEDED: max value, typical datasheet 25 V max]
Input Supply Voltage (VCC1) — [DATA_NEEDED: value]
Propagation Delay (typical) — 42 ns
Target Power Switches — SiC MOSFETs, IGBTs, MOSFETs
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: junction/ambient range]
Protection Features — UVLO (output-side), DESAT short-circuit detection
Output Stage — Separate source/sink pins, totem-pole
حالة RoHS — Compliant
Family — Infineon EiceDRIVER 1ED31xx

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر