1ED020I12B2XUMA1 vs 1ED3142MU12FXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1ED020I12B2XUMA1 מאת Infineon ו 1ED3142MU12FXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1ED020I12B2XUMA1 1ED3142MU12FXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Type Single-channel IGBT gate driver, galvanically isolated —
Isolation Technology Coreless transformer (magnetic coupling) Coreless Transformer (CT)
Isolation Voltage (Vrms) 4500 Vrms —
Number of Channels 1 1
Output Current (typ.) 2 A source / 2 A sink —
Propagation Delay (typ.) 35 ns —
Supported Switch Voltage Class Up to 1200 V IGBT / SiC MOSFET —
DESAT Protection Yes (programmable threshold) —
Miller Clamp Yes (integrated 2 A clamp FET) —
Input Supply (VCC1) 5 V (logic side) —
Output Supply (VCC2) Unipolar 15 V or bipolar -8.5 V / 15 V —
מארז PG-DSO-16-15 (300 mil wide-body DSO-16) PG-DSO-8-72 (wide-body DSO-8)
Creepage Distance 8 mm —
טמפרטורת פעולה -40 °C to +125 °C —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL MSL-3 (per JEDEC J-STD-020) —
Compliance RoHS compliant —
Product Type — Galvanically Isolated Gate Driver IC
Peak Source/Sink Output Current — 6.5 A (typical)
Isolation Voltage (DigiKey rating) — 3000 Vrms
Isolation Voltage (Manufacturer datasheet) — 2300 V
Output Supply Voltage (VCC2-VEE2) — [DATA_NEEDED: max value, typical datasheet 25 V max]
Input Supply Voltage (VCC1) — [DATA_NEEDED: value]
Propagation Delay (typical) — 42 ns
Target Power Switches — SiC MOSFETs, IGBTs, MOSFETs
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: junction/ambient range]
Protection Features — UVLO (output-side), DESAT short-circuit detection
Output Stage — Separate source/sink pins, totem-pole
סטטוס RoHS — Compliant
Family — Infineon EiceDRIVER 1ED31xx

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר