1ED3122MC12HXUMA1 vs 2ED2738S01GXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1ED3122MC12HXUMA1 بواسطة Infineon و 2ED2738S01GXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1ED3122MC12HXUMA1 2ED2738S01GXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Isolated Gate Driver (single-channel) —
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) —
Isolation Voltage (Vrms) 5.7 kVrms —
Maximum Transient Isolation (Vpk) 8 kVpk —
Output Current (source / sink) 10 A / 9 A —
Configuration High-side, non-inverting —
Number of Channels 1 —
Supply Voltage (VCC / VBS) 8 V to 35 V —
Propagation Delay (typ.) 30 ns —
Rise Time / Fall Time (typ.) 15 ns / 30 ns —
Miller Clamp Active (integrated) —
Short-Circuit Clamping Yes —
UVLO Primary and secondary side —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C -40C to +125C
العلبة PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) PG-VSON-10-5 (3x3 mm) with EP
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 2 2 (1 year)
حالة RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Output Current (Source, peak) — 4.0 A
Output Current (Sink, peak) — 8.0 A
Output Current (Source, typ) — 1.0 A
Output Current (Sink, typ) — 2.0 A
عدد المخارج — 1
Input Type — Non-Inverting
Input Logic Compatibility — TTL
Supply Voltage (VDD/VCC) — 6 V to 20 V
Bootstrap Supply Voltage — Up to 600 V (HS pin rating)
Propagation Delay (typ) — 120 ns
Channel-to-Channel Match — 40 ns
Rise/Fall Time (1 nF load) — 1.5 ns / 1.5 ns
Negative Transient Immunity (HS) — -10 V to +20 V transient
Under-Voltage Lockout — VCC and Bootstrap
Bootstrap Diode — Integrated

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر