1ED3124MC12HXUMA1 vs 1ED44175N01BXTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1ED3124MC12HXUMA1 بواسطة Infineon و 1ED44175N01BXTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1ED3124MC12HXUMA1 1ED44175N01BXTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) Non-inverting
Number of Drivers 1 —
عدد المخارج 1 —
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) —
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
زمن الصعود 15 ns —
زمن السقوط 30 ns —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة PG-DSO-8 (DSO-8) PG-SOT23-6-3 (6-lead)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
حالة RoHS Compliant Compliant
الوظيفة — Low-side gate driver
Number of Channels — 1
Gate Type — IGBT, MOSFET (single-channel)
Output Current (Source/Sink) — 2.6 A typical
Supply Voltage Range — Up to 25 V
Logic Input Compatibility — CMOS, LSTTL
Over-Current Protection (OCP) — Integrated (OCP pin)
FAULT Output — Yes (status reporting)
دبوس التمكين — Yes
Rise/Fall Time — [DATA_NEEDED: rise/fall time ns]
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Technology — CMOS (latch-up immune)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر