1ED44175N01BXTSA1 vs 2EDN7533RXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1ED44175N01BXTSA1 بواسطة Infineon و 2EDN7533RXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1ED44175N01BXTSA1 2EDN7533RXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Low-side gate driver Dual-channel low-side gate driver
Number of Channels 1 2
Gate Type IGBT, MOSFET (single-channel) —
Configuration Non-inverting —
Output Current (Source/Sink) 2.6 A typical —
Supply Voltage Range Up to 25 V —
Logic Input Compatibility CMOS, LSTTL —
Over-Current Protection (OCP) Integrated (OCP pin) —
FAULT Output Yes (status reporting) —
دبوس التمكين Yes —
Rise/Fall Time [DATA_NEEDED: rise/fall time ns] 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load)
Propagation Delay [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
العلبة PG-SOT23-6-3 (6-lead) PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS (latch-up immune) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
حالة RoHS Compliant Compliant
Input Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Output Current — 5 A
Output Resistance (Pull-up, typ.) — 0.5 ohm
Output Resistance (Pull-down, typ.) — 0.3 ohm
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Delay Matching — 1.3 ns (typ.)
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Input Voltage Tolerance — -12 V to +22 V
Supply Voltage VDD (recommended) — 4.5 V to 20 V
Supply Voltage VDD (absolute max) — 25 V
Under-Voltage Lockout — Yes (per channel)
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -40 C to +150 C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر