1EDN7126GXTMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7126GXTMA1 بواسطة Infineon و 1ED3142MC12HXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 1EDN7126GXTMA1 | 1ED3142MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| الوظيفة | Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET | — |
| Configuration | Non-Inverting | Inverting, Non-Inverting |
| Channel Type | Single | — |
| Driven Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VCC max value] | — |
| Peak Source Current | 1.5 A | — |
| Peak Sink Current | 1.5 A | — |
| Common-Mode Voltage (CMR) | 200 V | — |
| Input Type | Truly Differential Input (TDI) | — |
| Propagation Delay (Typ.) | [DATA_NEEDED: tpd typical value] | — |
| Rise / Fall Time (Typ.) | [DATA_NEEDED: tr / tf typical value] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | — |
| العلبة | PG-VSON-10-4 | PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Reach | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Input Logic Compatibility | 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | 1ED3142MC12HXUMA1 |
| Product Family | — | EiceDRIVER X3 Compact |
| Driver Type | — | Isolated single-channel gate driver |
| Isolation Technology | — | Coreless transformer (galvanic) |
| Isolation Voltage | — | 3000 Vrms |
| Number of Channels | — | 1 |
| عدد المخارج | — | 2 (separate source/sink) |
| Source Drive Current | — | 6 A |
| Sink Drive Current | — | 6.5 A |
| Maximum Rise Time | — | 20 ns |
| Maximum Fall Time | — | 20 ns |
| Propagation Delay (typ.) | — | 40 ns |
| Supported Switches | — | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET |
| EU RoHS | — | Compliant |
| Part Status | — | Active |
| ECCN | — | EAR99 |