1EDN7136GXTMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7136GXTMA1 بواسطة Infineon و 1EDN7116GXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 1EDN7136GXTMA1 | 1EDN7116GXTMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Product Type | Low-side gate driver IC | — |
| Configuration | Single channel, non-inverting | — |
| Peak Source Current | 4 A | 2 A (typ) |
| Peak Sink Current | 8 A | 4 A (typ) |
| Target Switch | GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET | — |
| Input Logic | TTL/CMOS compatible | — |
| UVLO | Yes (VDD under-voltage lockout) | Yes (VCC and gate-rail monitored) |
| Propagation Delay | Sub-nanosecond class | — |
| العلبة | PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -40 C to +125 C | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | MSL3 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-free | Yes | — |
| Input Voltage (VDD) | [DATA_NEEDED: VDD range V] | — |
| Output Voltage (GaN gate) | Approximately 6 V (regulated) | — |
| الوظيفة | — | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs |
| Driver Configuration | — | Non-inverting, single low-side |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Switch-Node Blocking Voltage | — | 200 V (max) |
| Propagation Delay (Typ) | — | 9 ns |
| Rise Time (Typ) | — | 3 ns |
| Fall Time (Typ) | — | 3 ns |
| Quiescent Current (Typ) | — | 0.6 mA |
| Miller Clamp | — | Integrated, active |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40 °C to +125 °C |
| Target Switch Technology | — | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET |