1EDN7136GXTMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1EDN7136GXTMA1 द्वारा Infineon और 1EDN7116GXTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | 1EDN7136GXTMA1 | 1EDN7116GXTMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Product Type | Low-side gate driver IC | — |
| Configuration | Single channel, non-inverting | — |
| Peak Source Current | 4 A | 2 A (typ) |
| Peak Sink Current | 8 A | 4 A (typ) |
| Target Switch | GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET | — |
| Input Logic | TTL/CMOS compatible | — |
| UVLO | Yes (VDD under-voltage lockout) | Yes (VCC and gate-rail monitored) |
| Propagation Delay | Sub-nanosecond class | — |
| पैकेज | PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40 C to +125 C | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level] | MSL3 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-free | Yes | — |
| Input Voltage (VDD) | [DATA_NEEDED: VDD range V] | — |
| Output Voltage (GaN gate) | Approximately 6 V (regulated) | — |
| फ़ंक्शन | — | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs |
| Driver Configuration | — | Non-inverting, single low-side |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Switch-Node Blocking Voltage | — | 200 V (max) |
| Propagation Delay (Typ) | — | 9 ns |
| Rise Time (Typ) | — | 3 ns |
| Fall Time (Typ) | — | 3 ns |
| Quiescent Current (Typ) | — | 0.6 mA |
| Miller Clamp | — | Integrated, active |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -40 °C to +125 °C |
| Target Switch Technology | — | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET |