1EDN7146GXTMA1 vs 2EDN7524GXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7146GXTMA1 بواسطة Infineon و 2EDN7524GXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDN7146GXTMA1 2EDN7524GXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type High-side, single-channel —
Number of Drivers 1 —
Logic Type Non-Inverting —
Input Type TDI (Truly Differential Inductor) —
Maximum Bootstrap Voltage (VB) 200 V —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V 4.5 V to 20 V [DATA_NEEDED: exact range]
Source/Sink Drive Current 500 mA / 500 mA —
Gate Drive Voltage Up to 11 V (typ) —
Propagation Delay (typ) 40 ns —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
UVLO (VCC) Yes —
UVLO (VB) Yes —
Bootstrap Diode Integrated —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C -40 C to +125 C
العلبة PG-VSON-10-4 PG-WSON-8-1 (3 mm x 3 mm) with exposed thermal pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Product Type — Low-side gate driver IC
Number of Channels — 2 (dual)
Drive Current (Source/Sink) — 5 A peak
Input Logic — Non-inverting, TTL / 3.3 V CMOS-compatible
Input Voltage Tolerance — -10 V to +20 V on logic pins
Propagation Delay — 20 ns typical [DATA_NEEDED: exact figure]
Channel-to-Channel Delay Matching — 1 ns
زمن الصعود — 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition]
زمن السقوط — 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition]
Output Stage — Rail-to-rail, separate source/sink
UVLO Protection — Yes
Target Devices — Standard MOSFETs, superjunction MOSFETs, GaN HEMTs

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر