1EDN7146GXTMA1 vs 2EDN7524GXTMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của 1EDN7146GXTMA1 bằng Infineon và 2EDN7524GXTMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
2EDN7524GXTMA1 - 5A Dual Low-Side Gate Driver for MOSFET/GaN | Infineon
2EDN7524GXTMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | 1EDN7146GXTMA1 | 2EDN7524GXTMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Driver Type | High-side, single-channel | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| Logic Type | Non-Inverting | — |
| Input Type | TDI (Truly Differential Inductor) | — |
| Maximum Bootstrap Voltage (VB) | 200 V | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 20 V | 4.5 V to 20 V [DATA_NEEDED: exact range] |
| Source/Sink Drive Current | 500 mA / 500 mA | — |
| Gate Drive Voltage | Up to 11 V (typ) | — |
| Propagation Delay (typ) | 40 ns | — |
| Rise/Fall Time (typ) | [DATA_NEEDED: rise/fall time] | — |
| UVLO (VCC) | Yes | — |
| UVLO (VB) | Yes | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -40 C to +125 C | -40 C to +125 C |
| Hộp | PG-VSON-10-4 | PG-WSON-8-1 (3 mm x 3 mm) with exposed thermal pad |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Product Type | — | Low-side gate driver IC |
| Number of Channels | — | 2 (dual) |
| Drive Current (Source/Sink) | — | 5 A peak |
| Input Logic | — | Non-inverting, TTL / 3.3 V CMOS-compatible |
| Input Voltage Tolerance | — | -10 V to +20 V on logic pins |
| Propagation Delay | — | 20 ns typical [DATA_NEEDED: exact figure] |
| Channel-to-Channel Delay Matching | — | 1 ns |
| Thời gian tăng lên | — | 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition] |
| Thời gian giảm dần | — | 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition] |
| Output Stage | — | Rail-to-rail, separate source/sink |
| UVLO Protection | — | Yes |
| Target Devices | — | Standard MOSFETs, superjunction MOSFETs, GaN HEMTs |