1EDN7146GXTMA1 vs 2EDN7524GXTMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1EDN7146GXTMA1 بذریعہ Infineon اور 2EDN7524GXTMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
2EDN7524GXTMA1 - 5A Dual Low-Side Gate Driver for MOSFET/GaN | Infineon
2EDN7524GXTMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | 1EDN7146GXTMA1 | 2EDN7524GXTMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Driver Type | High-side, single-channel | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| Logic Type | Non-Inverting | — |
| Input Type | TDI (Truly Differential Inductor) | — |
| Maximum Bootstrap Voltage (VB) | 200 V | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 20 V | 4.5 V to 20 V [DATA_NEEDED: exact range] |
| Source/Sink Drive Current | 500 mA / 500 mA | — |
| Gate Drive Voltage | Up to 11 V (typ) | — |
| Propagation Delay (typ) | 40 ns | — |
| Rise/Fall Time (typ) | [DATA_NEEDED: rise/fall time] | — |
| UVLO (VCC) | Yes | — |
| UVLO (VB) | Yes | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40 C to +125 C | -40 C to +125 C |
| پیکیج | PG-VSON-10-4 | PG-WSON-8-1 (3 mm x 3 mm) with exposed thermal pad |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Product Type | — | Low-side gate driver IC |
| Number of Channels | — | 2 (dual) |
| Drive Current (Source/Sink) | — | 5 A peak |
| Input Logic | — | Non-inverting, TTL / 3.3 V CMOS-compatible |
| Input Voltage Tolerance | — | -10 V to +20 V on logic pins |
| Propagation Delay | — | 20 ns typical [DATA_NEEDED: exact figure] |
| Channel-to-Channel Delay Matching | — | 1 ns |
| رائز ٹائم | — | 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition] |
| فال ٹائم | — | 5 ns typical [DATA_NEEDED: exact test condition] |
| Output Stage | — | Rail-to-rail, separate source/sink |
| UVLO Protection | — | Yes |
| Target Devices | — | Standard MOSFETs, superjunction MOSFETs, GaN HEMTs |