1EDN7550BXTSA1 vs 1EDN7146GXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1EDN7550BXTSA1 بواسطة Infineon و 1EDN7146GXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 1EDN7550BXTSA1 1EDN7146GXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Single-channel, high-side / low-side —
Input Type Non-inverting, truly differential TDI (Truly Differential Inductor)
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Supply Voltage (VDD max) 84 V —
Minimum Input Pulse Width 29 ns —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay value] —
Input Common-Mode Range Up to 150 V —
Channel-to-Channel Matching 1.0 ns typ. —
Internal Regulator 4.7 V on input side —
Logic Input Compatibility TTL / CMOS —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40 °C to +150 °C —
العلبة PG-SOT23-6 (SOT-23-6) PG-VSON-10-4
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
حالة RoHS Compliant Compliant
Driver Type — High-side, single-channel
Number of Drivers — 1
Logic Type — Non-Inverting
Maximum Bootstrap Voltage (VB) — 200 V
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Source/Sink Drive Current — 500 mA / 500 mA
Gate Drive Voltage — Up to 11 V (typ)
Propagation Delay (typ) — 40 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO (VCC) — Yes
UVLO (VB) — Yes
Bootstrap Diode — Integrated
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر