2ED2108S06FXUMA1 vs 1EDN7550BXTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2ED2108S06FXUMA1 بواسطة Infineon و 1EDN7550BXTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2ED2108S06FXUMA1 1EDN7550BXTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Half-Bridge Single-channel, high-side / low-side
Number of Drivers 1 —
Gate Type N-Channel MOSFET, IGBT —
عدد المخارج 2 (high-side + low-side) —
Logic Input Non-Inverting —
Input Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
High-Side Bootstrap Voltage Rating 650 V —
Peak Source Current (typ.) 0.29 A —
Peak Sink Current (typ.) 0.7 A —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB) —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: tr/tf ns] —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-SOT23-6 (SOT-23-6)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
حالة RoHS Compliant Compliant
Input Type — Non-inverting, truly differential
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Supply Voltage (VDD max) — 84 V
Minimum Input Pulse Width — 29 ns
Input Common-Mode Range — Up to 150 V
Channel-to-Channel Matching — 1.0 ns typ.
Internal Regulator — 4.7 V on input side
Logic Input Compatibility — TTL / CMOS
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -40 °C to +150 °C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر