2ED2108S06FXUMA1 vs 1EDN7550BXTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2ED2108S06FXUMA1 توسط Infineon و 1EDN7550BXTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 2ED2108S06FXUMA1 1EDN7550BXTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Driver Configuration Half-Bridge Single-channel, high-side / low-side
Number of Drivers 1 —
Gate Type N-Channel MOSFET, IGBT —
تعداد خروجی‌ها 2 (high-side + low-side) —
Logic Input Non-Inverting —
Input Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
High-Side Bootstrap Voltage Rating 650 V —
Peak Source Current (typ.) 0.29 A —
Peak Sink Current (typ.) 0.7 A —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB) —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: tr/tf ns] —
دمای کاری -40 C to +125 C —
بسته‌بندی PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-SOT23-6 (SOT-23-6)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Input Type — Non-inverting, truly differential
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Supply Voltage (VDD max) — 84 V
Minimum Input Pulse Width — 29 ns
Input Common-Mode Range — Up to 150 V
Channel-to-Channel Matching — 1.0 ns typ.
Internal Regulator — 4.7 V on input side
Logic Input Compatibility — TTL / CMOS
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes
دمای اتصال کاری — -40 °C to +150 °C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت