2EDL5023U2DXTMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL5023U2DXTMA1 بواسطة Infineon و 2EDL8033G4CXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDL5023U2DXTMA1 2EDL8033G4CXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Driver Type Non-Inverting —
عدد المخارج 2 2 (HS + LS)
Bootstrap Voltage Rating 120 V —
Peak Gate Drive Current 3 A (typical sink/source) —
Number of Channels 1 (Half-Bridge) —
Input Logic TTL-compatible —
Input Voltage (VDD) 5 V (gate drive supply) —
Enable Pin (EN) Active-High (logic high or left open enables) —
PWM Inputs HI (high-side), LI (low-side) —
Ground Return VSS —
العلبة PG-TSNP-12-5 PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C (typical industrial range) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Tape and Reel Packaging Yes —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Isolation Technology — Junction-isolated
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Marking Code — 2ED8033G4C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر