2EDL5023U2DXTMA1 vs 2EDL8033G4CXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2EDL5023U2DXTMA1 מאת Infineon ו 2EDL8033G4CXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
2EDL8033G4CXTMA1 2EDL8033G4CXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2EDL8033G4CXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2EDL8033G4CXTMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 2EDL5023U2DXTMA1 2EDL8033G4CXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Driver Type Non-Inverting —
מספר יציאות 2 2 (HS + LS)
Bootstrap Voltage Rating 120 V —
Peak Gate Drive Current 3 A (typical sink/source) —
Number of Channels 1 (Half-Bridge) —
Input Logic TTL-compatible —
Input Voltage (VDD) 5 V (gate drive supply) —
Enable Pin (EN) Active-High (logic high or left open enables) —
PWM Inputs HI (high-side), LI (low-side) —
Ground Return VSS —
מארז PG-TSNP-12-5 PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה -40C to +125C (typical industrial range) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Tape and Reel Packaging Yes —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High-Side / Low-Side, Non-Inverting
Source Drive Current — 3 A
Sink Drive Current — 4 A
Bootstrap Voltage (Max) — 120 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Isolation Technology — Junction-isolated
Propagation Delay (Typ) — 45 ns
Channel-to-Channel Matching — <10 ns
Integrated Bootstrap Diode — Yes
טווח טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
Marking Code — 2ED8033G4C

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר