2EDL8033G4CXTMA1 vs 2EDL5013U2DXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL8033G4CXTMA1 بواسطة Infineon و 2EDL5013U2DXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
2EDL5013U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDL8033G4CXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
عدد المخارج 2 (HS + LS) —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Isolation Technology Junction-isolated —
Propagation Delay (Typ) 45 ns —
Channel-to-Channel Matching <10 ns —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
العلبة PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad) PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Marking Code 2ED8033G4C —
حالة RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
Input Logic — Non-Inverting
Number of Channels — 2
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 3 A
تكوين الخرج — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Bootstrap Voltage Rating — 120 V max
Rise Time (typ.) — 4.4 ns
Fall Time (typ.) — 3.5 ns
Miller Clamp — 7 A active Miller clamp
Bootstrap Diode — Integrated
UVLO — VCC and VBS under-voltage lockout

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر