2EDL8123GXUMA1 vs 2ED21834S06JXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDL8123GXUMA1 بواسطة Infineon و 2ED21834S06JXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDL8123GXUMA1 2ED21834S06JXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Input Type Non-Inverting —
Number of Drivers 2 —
Maximum Bootstrap Voltage (V_BS) 120 V —
Source Current (I_source, typical) 3 A —
Sink Current (I_sink, typical) 4 A —
Supply Voltage (V_CC) [DATA_NEEDED: V_CC range] —
UVLO Protection Yes (V_CC and V_BS) —
Bootstrap Diode Integrated —
Isolation Type Junction-Isolated (JI) —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة PG-VDSON-8-4 (VSON-8 with thermal pad) PG-DSO-14-49 (DSO-14)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Propagation Delay [DATA_NEEDED: t_on / t_off] —
Logic Input Compatibility TTL/CMOS —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — Half-bridge (high-side + low-side)
Maximum Offset Voltage (VBS) — 650 V
Typical Sink Current — 2.5 A
Typical Source Current — 2.5 A
Input Logic — Non-Inverting
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
عدد الدبابيس — 14
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 °C to +125 °C
Standard Reel Quantity — 3000

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر