2EDN7434RXTMA1 vs 2EDL8033G4BXTMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDN7434RXTMA1 بواسطة Infineon و 2EDL8033G4BXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | 2EDN7434RXTMA1 | 2EDL8033G4BXTMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | EiceDRIVER 2EDN | — |
| Driver Configuration | Dual-channel low-side | — |
| Number of Drivers | 2 | — |
| Peak Output Current | 5 A (source/sink) | — |
| Rated Output Current | 4 A | — |
| Output Resistance (Low) | [DATA_NEEDED: output resistance Ron low] | — |
| Output Resistance (High) | [DATA_NEEDED: output resistance Ron high] | — |
| Propagation Delay (Typ.) | 19 ns | — |
| Input Logic Compatibility | LV-TTL, non-inverting | TTL |
| Absolute Max Input Voltage | -12 V to +22 V | — |
| Supply Voltage Range | [DATA_NEEDED: VDD range] | — |
| العلبة | PG-TSSOP-8 (3.0 x 3.0 mm) | PG-VDSON-8-5 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Active Output Voltage Clamping | Yes | — |
| البنية الطوبولوجية | — | Half-bridge (high-side + low-side) |
| Maximum Bootstrap Voltage (VBS) | — | 120 V |
| Source Drive Current | — | 3 A |
| Sink Drive Current | — | 4 A |
| Number of Channels | — | 2 (HS + LS) |
| Isolation Type | — | Junction-isolated (non-galvanic) |
| Input Common-Mode Range | — | -10 V to 20 V |
| Input Type | — | Independent HS and LS |
| Integrated Dead-Time Control | — | Yes (programmable) |
| Under-Voltage Lockout (VCC/VDD) | — | Yes |
| Under-Voltage Lockout (VBS/High-Side) | — | Yes |
| Shoot-Through Protection | — | Yes |
| Marking Code | — | 2ED8033G4B |