2EDN7533RXTMA1 vs 1EDN7136UXTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDN7533RXTMA1 بواسطة Infineon و 1EDN7136UXTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDN7533RXTMA1 1EDN7136UXTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Dual-channel low-side gate driver High-side / Low-side gate driver IC
Number of Channels 2 —
Input Polarity Inverting —
Peak Source/Sink Output Current 5 A —
Output Resistance (Pull-up, typ.) 0.5 ohm —
Output Resistance (Pull-down, typ.) 0.3 ohm —
Propagation Delay (typ.) 19 ns —
Channel-to-Channel Delay Matching 1.3 ns (typ.) —
Rise/Fall Time 1.7 ns / 1.5 ns (typ., 1 nF load) —
Input Logic Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V —
Supply Voltage VDD (recommended) 4.5 V to 20 V —
Supply Voltage VDD (absolute max) 25 V —
Under-Voltage Lockout Yes (per channel) —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40 C to +150 C —
العلبة PG-TSSOP-8 (HTSSOP) with exposed pad TSNP-6 with exposed pad (PG-VSON-1)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Driven Device Type — GaN HEMT, N-channel MOSFET
عدد المخارج — 2 (high-side and low-side)
Peak Source Current — 1 A
Peak Sink Current — 2 A
Driver Supply Voltage (Max) — 200 V
Logic Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Active Miller Clamp — Yes (integrated)
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (driver supply and logic input)
Propagation Delay (Typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +150 C
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes (per Infineon product family convention)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر