2EDN7534RXTMA1 vs 1EDN7511BXUSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2EDN7534RXTMA1 بواسطة Infineon و 1EDN7511BXUSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 2EDN7534RXTMA1 1EDN7511BXUSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Low-side gate driver —
Number of Channels 2 —
Peak Output Current (source/sink) 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL TTL / CMOS
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) —
تكوين الخرج Non-inverting —
Output Resistance (Ron) <1 ohm (typ) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة PG-TSSOP-8 PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
مستوى MSL 1 (unlimited) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Driver Type — Low-Side, Single Channel
Number of Drivers — 1
عدد المخارج — 1
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
زمن الصعود — [DATA_NEEDED: rise time ns]
زمن السقوط — 4.5 ns
Propagation Delay — ±5 ns (matched)
جهد التغذية التشغيلي — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (integrated)
Output Stage — True low-impedance complementary rail-to-rail
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +150 C
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel available)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر