2EDN7534RXTMA1 vs 1EDN7511BXUSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của 2EDN7534RXTMA1 bằng Infineon và 1EDN7511BXUSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
1EDN7511BXUSA1 1EDN7511BXUSA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver, SOT-23-6 | Infineon

1EDN7511BXUSA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver, SOT-23-6 | Infineon

1EDN7511BXUSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số 2EDN7534RXTMA1 1EDN7511BXUSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Chức năng Low-side gate driver —
Number of Channels 2 —
Peak Output Current (source/sink) 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL TTL / CMOS
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) —
Cấu hình đầu ra Non-inverting —
Output Resistance (Ron) <1 ohm (typ) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +125C —
Hộp PG-TSSOP-8 PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
Cấp MSL 1 (unlimited) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Driver Type — Low-Side, Single Channel
Number of Drivers — 1
Số lượng đầu ra — 1
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Thời gian tăng lên — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Thời gian giảm dần — 4.5 ns
Propagation Delay — ±5 ns (matched)
Điện áp cung cấp hoạt động — [DATA_NEEDED: VCC range V]
UVLO Protection — Yes (integrated)
Output Stage — True low-impedance complementary rail-to-rail
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -40 C to +150 C
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel available)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá