2N7002H6327XTSA2 vs BSS214NH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 2N7002H6327XTSA2 بواسطة Infineon و BSS214NH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل 2N7002H6327XTSA2 BSS214NH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (Planar) OptiMOS 2 (planar N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) 300 mA (Ta) 1.5 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 3 ohm max @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (Tj) -55C to +150C (junction)
العلبة PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Qualification Industrial / Commercial Grade AEC-Q101 (Automotive)
FET Type — N-Channel
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 250 mOhm at VGS = 4.5 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-Source Voltage (VGS max) — ±12 V (recommended)
Lead Finish — Pb-free lead plating (matte tin)
ESD Protection — Yes (gate ESD diode)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر