2N7002H6327XTSA2 vs BSS214NH6327XTSA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 2N7002H6327XTSA2 द्वारा Infineon और BSS214NH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 ✓ सक्रिय
Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 2N7002H6327XTSA2 BSS214NH6327XTSA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (Planar) OptiMOS 2 (planar N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) 300 mA (Ta) 1.5 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 3 ohm max @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C (Tj) -55C to +150C (junction)
पैकेज PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement —
MSL स्तर 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Qualification Industrial / Commercial Grade AEC-Q101 (Automotive)
FET Type — N-Channel
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 250 mOhm at VGS = 4.5 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-Source Voltage (VGS max) — ±12 V (recommended)
Lead Finish — Pb-free lead plating (matte tin)
ESD Protection — Yes (gate ESD diode)

डेटाशीट और संसाधन

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