BC817-40,215 vs BC817-40 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BC817-40,215 بواسطة Nexperia و BC817-40 بواسطة Nexperia. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Nexperia
BC817-40,215 BC817-40,215 - 45V 500mA NPN BJT SOT-23 | Nexperia

BC817-40,215 - 45V 500mA NPN BJT SOT-23 | Nexperia

BC817-40,215 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل BC817-40,215 BC817-40
العلامة التجارية Nexperia Nexperia
الفئة Transistors Transistors
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور NPN Bipolar (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
العلبة SOT-23 (TO-236AB) SOT-23 (TO-236AB), 3 pins
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
جهد المجمع-الباعث (Vceo) 45 V 45 V
جهد المجمّع-القاعدة (Vcbo) 50 V 50 V
جهد الباعث-القاعدة (Vebo) 5 V 5 V
Continuous Collector Current (IC) 500 mA 500 mA
Peak Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: peak collector current] [DATA_NEEDED: ICM value]
تبديد القدرة (Ptot) 250 mW —
تردد الانتقال (ft) 100 MHz 100 MHz
DC Current Gain (hFE) - BC817-40 bin 250 to 600 (at IC=100mA, VCE=1V) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -65 C to +150 C (TJ) —
JEDEC Package Standard TO-236AB —
Pin Configuration Pin 1 Base / Pin 2 Emitter / Pin 3 Collector —
RoHS Compliance Compliant —
Lead-Free Reflow Yes (260 C peak per J-STD-020) —
Total Power Dissipation (Ptot) — 310 mW
DC Current Gain (hFE) - -40 bin — 250 to 600 (at 100 mA, 1 V)
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) — 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base)
Base-Emitter Voltage (VBE) — [DATA_NEEDED: VBE typical]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -65 C to +150 C
مستوى MSL — 1
حالة RoHS — Compliant
Complementary PNP Part — BC807-40

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر